主要用途MAIN PURPOSE

該設備適用于電力電子器件、機車車輛電子器件、傳感器、混合電路、奴向可控硅、石英晶體振蕩器、對地放電二級管、 半導體光電器件等，晶片正、反兩個方向同時曝光。（雙面對準、雙面曝光）

主要技術參數 MAIN TECHNICAL PARAMETERS

?適用于04", 03",①2”基片，基片厚度都可以。

?具有相對應的版夾盤，口5” x5”、口4” x4" "、口25” x2.5”，隨機配置其中之一。

?對準調節(jié)：X、Y±4mm, e w ±5°

?對準精度：±1.0卩E,多次翻轉保持精度w5um。

?多點光源曝光頭：

光源采用GOQ200Z型超高壓直流球形汞燈。

照明范圍：w ol20mm_o

光的不均勻性：O100mm范圍內w ±16%。

成像面照明：使用UV-A型表測量,光照度在5mw/cm²左右（采用365測頭測量）。

?采用進口時間繼電器（0.1-999.9秒內任意設定）控制“真空快門” o

?具有二臺單筒顯微鏡（0.7-4.5倍連續(xù)變倍），二臺CCD攝像，單臺液晶監(jiān)視器（單屏奴畫面顯示）?？偡糯蟊稊禐?/span> 35X ?225X。